时间：2025/9/7 9:39:57
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HZM30NBTR是一款由ROHM Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，适用于需要高效能与低导通电阻的应用场景。这款MOSFET具备高电流处理能力和低导通损耗，适合用于电源转换器、电机驱动以及电池管理系统等场合。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：30A
漏源电压（VDS）：30V
导通电阻（RDS(on)）：约8.5mΩ（最大值）
栅极电荷（Qg）：19nC
封装形式：TO-252（DPAK）
HZM30NBTR的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件在高电流条件下表现出色，能够支持高达30A的漏极电流，使其适用于高功率需求的应用。
此外，HZM30NBTR采用了TO-252封装，这种封装形式具有良好的热管理和焊接可靠性，适用于表面贴装技术（SMT），便于在PCB上安装和批量生产。
该MOSFET还具备优良的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过电压情况下提供一定程度的保护，提高系统的稳定性和可靠性。栅极电荷较低，有助于提高开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关应用。
另外，HZM30NBTR的工作温度范围较宽，通常可以在-55°C至+175°C之间正常工作，适用于各种严苛的环境条件。
HZM30NBTR常用于电源管理领域，例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池充电器等应用。此外，它也适用于电机控制、逆变器和各种工业自动化设备中的功率开关电路。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF3703PBF
