时间：2025/8/6 5:05:59
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IXTP270N04T4 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源转换、电机驱动和功率管理等高功率密度场合。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高效率的开关性能，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：40V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：270A（在Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：最大值 0.9mΩ（典型值 0.8mΩ）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
安装类型：表面贴装（SMD）
功率耗散(Pd)：320W
漏极-源极击穿电压(BR)Vds：40V
阈值电压(Vgs(th))：2.0V 至 4.0V
IXTP270N04T4 的主要特性包括：低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率；该器件采用先进的沟槽技术，提供卓越的开关性能和热稳定性；具有高电流承载能力和出色的热阻特性，能够在高功率密度应用中保持稳定运行；宽泛的工作温度范围使其适用于恶劣环境；此外，该 MOSFET 具有良好的雪崩能量耐受能力，增强了器件的可靠性与耐用性。
这款 MOSFET 还具备低栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高转换效率。其表面贴装封装（SMD）设计便于自动化生产，提高制造效率。TO-263（D2PAK）封装形式也支持良好的散热性能，适合在高功率应用场景中使用。
IXTP270N04T4 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制、负载开关、逆变器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及新能源领域如电动汽车（EV）充电系统和光伏逆变器等。由于其高效率和高可靠性，该器件也常用于服务器电源、通信设备电源和高性能计算设备的电源模块。
IRF2804, IXTP270N04T4S, IXTP270N04T4S2KSA1, STP280N4F7AG, IPP280N04N3G
