时间：2025/6/3 18:41:09
阅读：30
1SMB51CAT3G是一款基于肖特基技术的单向瞬态电压抑制二极管（TVS二极管）。它被设计用于保护敏感电子电路免受静电放电（ESD）、感应雷击和其它瞬态过压事件的影响。这款器件具有低电容特性，非常适合高速数据线路保护，同时保持了高浪涌电流能力和快速响应时间。
该型号属于Semtech公司的保护二极管系列，广泛应用于通信设备、消费类电子产品以及工业控制等领域。
最大反向工作电压：5.8V
击穿电压（VBR）：6V
最大箝位电压（VC）：10.1V
峰值脉冲电流（IPP）：9.6A
反向漏电流（IR）：1μA（在VRWM下）
结电容（CJ）：7pF（最大值，典型值为4pF）
响应时间：1ps
工作温度范围：-55℃至+150℃
1SMB51CAT3G采用肖特基势垒技术，具备以下特点：
1. 快速响应时间（仅1皮秒），能够及时抑制瞬态电压威胁。
2. 高浪涌能力，可承受高达9.6A的峰值脉冲电流。
3. 极低的结电容（最大7pF），对高速信号线路影响小，适合保护USB、HDMI等高速接口。
4. 小型化封装（如DO-214AC/SMC封装），节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，环保且适用于无铅焊接工艺。
6. 宽工作温度范围，确保在极端环境下可靠运行。
1SMB51CAT3G适用于各种需要过压保护的应用场景，包括但不限于：
1. 数据通信端口保护（如以太网、RS-232、RS-485等）。
2. 高速接口防护（例如USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort）。
3. 移动设备中的射频电路保护。
4. 工业自动化系统中传感器信号线的防护。
5. 汽车电子系统的瞬态电压防护。
6. 电源输入端口的ESD和浪涌保护。
PESD5V0R1BAB, SM6T5.0A, SMBJ5.0CA
