电容值：180pF
　　容差：±5%
　　温度特性：C0G (NP0)
　　额定电压：500V
　　封装尺寸：1210 (3225 公制)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：Ceramic (C0G/NP0)
　　安装类型：表面贴装 (SMD/SMT)
　　产品系列：EPCOS B82496
　　长度：3.2mm
　　宽度：2.5mm
　　厚度：2.0mm
　　直流耐压（DC Withstand Voltage）：750V
　　绝缘电阻：≥10000 MΩ 或 R × C ≥ 500 ΩF
　　电容温度系数：0 ±30ppm/K
　　等效串联电阻（ESR）：极低
　　自谐振频率（SRF）：典型值在数百MHz范围
　　老化率：≤0.1% per decade

B82496C3181J 采用 C0G（也称为 NP0）陶瓷介质材料，这是目前最稳定的电容器介质之一，具有极低的介电常数随温度变化的特性，通常在 -55°C 到 +125°C 的整个工作温度范围内，电容值的变化不超过 ±30ppm/°K。这意味着无论环境温度如何波动，该电容器都能保持极其稳定的电气性能，非常适合用于对频率稳定性要求极高的振荡器、滤波器和射频匹配电路中。C0G 材料还表现出优异的电压系数表现，即在额定电压范围内施加直流偏置电压时，电容值几乎不会下降，这与 X7R、X5R 等高介电常数材料形成鲜明对比。
　　该器件的额定电压为 500V DC，具备较高的耐压能力，适合在中高压信号耦合、去耦和旁路应用中使用。同时，其直流耐压测试值可达 750V，进一步保证了在瞬态过压情况下的安全裕度。由于其结构为多层陶瓷电容器，内部由多个交错堆叠的金属电极和陶瓷介质构成，因此具有较低的等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），能够在高频下保持接近理想的电容行为，自谐振频率较高，通常可达到数百 MHz 范围，适用于 GHz 以下的射频电路设计。
　　B82496C3181J 具备出色的长期稳定性，老化率极低，一般小于 0.1% 每十倍时间周期，远优于其他类型的 MLCC。这种特性使其在高精度模拟电路和长期运行的工业系统中非常受欢迎。此外，该电容器通过 AEC-Q200 认证的可能性较高（需查证具体批次），表明其适用于汽车电子等严苛环境。其 1210 封装形式提供了比小型封装更好的功率处理能力和热稳定性，同时仍保持较高的组装密度。TDK 的制造工艺确保了产品的一致性和可靠性，包括严格的筛选、老化测试和湿度敏感等级控制（通常为 MSL 1）。

B82496C3181J 主要应用于对电容稳定性要求极高的高频模拟和射频电路中。常见用途包括 LC 谐振电路中的固定电容元件，用于构建稳定的振荡器，如 VCO（压控振荡器）、晶体振荡器缓冲电路以及 PLL（锁相环）滤波网络。由于其 C0G 介质的零温度系数特性，该电容器常被用于温度敏感的滤波器设计，例如 SAW 滤波器或 BAW 滤波器的匹配网络中，以确保滤波特性不随环境温度变化而漂移。
　　在射频前端模块（RF Front-End Modules）中，B82496C3181J 可作为阻抗匹配元件，用于天线调谐、功率放大器输出匹配和低噪声放大器输入匹配电路，帮助实现最大功率传输并减少信号反射。其高耐压特性也使其适用于中高压信号耦合场景，例如在工业传感器信号调理电路中隔离直流分量的同时传递交流信号。
　　此外，该器件广泛用于精密定时电路、积分器、采样保持电路和高 Q 值滤波器中，尤其在医疗设备、测试测量仪器和航空航天电子系统中发挥关键作用。在电源管理领域，它可用于高频开关电源中的噪声滤波和去耦，特别是在反馈环路中作为补偿元件，提升系统稳定性。由于其符合 RoHS 标准且具备良好的热循环耐受性，也适用于汽车电子控制系统，如 ADAS 传感器模块、车载通信单元和引擎控制单元中的模拟信号链部分。

GRM32DR71H181GA01L
　　CC0G3E181J5GAC
　　C3225X7R1H181K160AB
　　KOA Speer SR732ETTR181J