时间：2025/12/27 7:46:16
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SSRF12N65SL是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的高压MOSFET功率晶体管，专为高效率开关电源应用设计。该器件采用先进的超级结（Super Junction）技术，能够在650V的高漏源击穿电压下实现优异的导通和开关性能。其主要目标市场包括服务器电源、电信电源系统、工业电源以及光伏逆变器等对能效和功率密度要求较高的应用领域。该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），有助于减少高频开关过程中的能量损耗，从而提升整体系统效率。器件封装形式为TO-220F，具备良好的热稳定性和机械可靠性，适用于通孔安装方式。由于其优化的体二极管特性，SSRF12N65SL在硬开关和软开关拓扑中均表现出良好的抗雪崩能力和抗冲击电流能力。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，适合现代绿色电子产品的制造需求。其内部结构经过优化，能够有效抑制寄生参数带来的负面影响，确保在高温和高电压环境下依然保持稳定的电气性能。
型号：SSRF12N65SL
制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
器件类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650 V
连续漏极电流（Id）：12 A（Tc=25°C）
脉冲漏极电流（Idm）：48 A
栅源电压（Vgs）：±30 V
导通电阻（Rds(on)）：0.65 Ω（Max @ Vgs=10V, Id=6A）
阈值电压（Vth）：3.0 ~ 4.5 V
栅极电荷（Qg）：47 nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1100 pF（@ Vds=25V）
输出电容（Coss）：190 pF（@ Vds=25V）
反向恢复时间（trr）：28 ns
最大工作结温（Tj）：150 °C
封装类型：TO-220F
SSRF12N65SL采用了安森美独有的超级结（Super Junction）技术，这项技术通过在P型和N型外延层之间形成精确交替的柱状结构，显著降低了器件的导通电阻与击穿电压之间的传统折衷关系，从而实现了在650V耐压等级下的超低Rds(on)。这种结构不仅提升了导通效率，还大幅减少了导通损耗，特别适用于连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）电路和LLC谐振转换器等高能效拓扑。器件的栅极电荷（Qg）仅为47nC，意味着驱动电路所需的能量更少，有助于降低控制器的驱动损耗并提高系统整体效率。同时，其较低的输出电容（Coss）使得在高频开关过程中存储的能量更少，进一步减少了开关损耗，尤其在轻载或待机状态下表现突出。
该MOSFET的体二极管具有快速反向恢复特性，反向恢复时间（trr）为28ns，且反向恢复电荷（Qrr）较低，这有效减少了在桥式或同步整流应用中因体二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI）。此外，优化的体内二极管结构增强了器件在硬开关条件下的鲁棒性，避免了因反向恢复电流过大而导致的热失控或二次击穿问题。器件的最大结温可达150°C，结合TO-220F封装良好的散热性能，使其能够在高温工业环境中长期稳定运行。所有半导体工艺均符合AEC-Q101可靠性标准，确保了产品在严苛条件下的寿命和一致性。此外，器件的制造过程采用绿色环保材料，不含铅和卤素，满足全球环保法规要求，适用于出口型高端电源产品。
SSRF12N65SL广泛应用于各类高效率、高功率密度的开关电源系统中。典型应用场景包括通信电源、服务器PSU、工业电源模块以及太阳能微型逆变器等需要650V耐压等级的场合。在功率因数校正（PFC）级电路中，该器件常用于升压（Boost）PFC拓扑，无论是临界导通模式（CrM）、连续导通模式（CCM）还是图腾柱PFC结构，都能发挥其低导通电阻和低开关损耗的优势，显著提升系统能效至80 PLUS铂金甚至钛金水平。在LLC谐振半桥或全桥转换器中，该MOSFET可作为主开关器件使用，其快速开关特性和低栅极驱动需求有助于实现高频化设计，减小磁性元件体积，提高功率密度。此外，在电机驱动、UPS不间断电源以及电动车辆充电模块中，SSRF12N65SL也能提供可靠的高压开关性能。由于其具备较强的抗雪崩能力和稳健的热稳定性，该器件也适用于存在电压瞬变或负载突变的恶劣电气环境，保障系统长期运行的可靠性。对于需要符合能源之星或欧盟CoC规范的节能设备，该MOSFET是理想的功率开关选择。
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"STF12N65M5",
"IPB65R190CFD",
"FCH65N60S3L"
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