容量：8 Mbit（1 Megabyte x8）
　　接口类型：并行（x8）
　　电源电压：2.7V - 3.6V
　　读取访问时间：55ns/70ns可选
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装引脚数：56
　　编程电压：3.3V
　　擦写周期：100,000次
　　数据保留时间：10年

LH28F008SCHT-TL12 具有以下主要特性：该芯片采用了Intel的Flash技术，提供了可靠的数据存储性能。其低电压操作（2.7V至3.6V）使得它适用于多种低功耗应用场景。读取访问时间为55ns或70ns，具体取决于型号，这使得它能够满足高速数据读取的需求。
　　此外，该芯片支持软件和硬件写保护功能，可防止意外写入或擦除，从而提高数据的安全性。LH28F008SCHT-TL12 还支持多个块（sector）擦除功能，允许用户对特定区域进行擦除，而不会影响到其他存储区域的内容，这在固件更新和数据管理中非常有用。
　　其TSOP封装形式有助于减小PCB空间占用，适合高密度设计。工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级应用环境。该芯片还支持自动休眠模式，以降低待机电流，从而延长电池寿命。此外，它具备良好的抗干扰能力和长期数据保留特性，确保数据在断电情况下依然安全。

LH28F008SCHT-TL12 主要应用于嵌入式系统、工业控制系统、通信设备、汽车电子模块、手持设备、消费类电子产品中的固件存储。它特别适合用于需要非易失性存储、频繁更新代码或数据的应用场景，如固件引导ROM替代、程序代码存储、配置数据存储等。
　　例如，在工业自动化设备中，该芯片可用于存储控制程序和校准数据；在通信模块中，可作为固件存储介质；在汽车电子系统中，可用于存储ECU（电子控制单元）的启动代码和关键参数；在手持设备中，则可作为低成本、低功耗的非易失性存储解决方案。

Intel LH28F008SCT-TL12, Intel LH28F008SC-E, AMD Am29LV008T, Spansion S29AL008D