类型：DRAM
　　子类型：HBM2（High Bandwidth Memory Generation 2）
　　容量：8GB（Gigabytes）
　　数据宽度：1024位（接口宽度）
　　频率：最高可达2.4Gbps/pin
　　电压：1.3V
　　封装类型：3D TSV（Through Silicon Via）堆叠
　　工作温度范围：0°C至+95°C
　　封装尺寸：约5.5mm x 7.5mm
　　带宽：高达307GB/s（Gigabytes per second）
　　引脚数：1024位宽（与GPU或其他处理单元直接连接）

H5AN8G8NMFR-VK 的最大特点是其高带宽设计，得益于HBM2架构和3D TSV技术，使得该芯片能够在极小的封装面积内实现极高的内存带宽。其带宽可达307GB/s，远高于传统GDDR5或DDR4内存。这种高带宽特性非常适合用于GPU、AI加速器、高性能计算（HPC）设备等需要大量数据并行处理的应用场景。
　　此外，该芯片采用低功耗设计，工作电压为1.3V，相比早期的HBM版本，功耗效率有所提升。由于其3D堆叠结构，该芯片在物理尺寸上非常紧凑，适用于空间受限的高端显卡和嵌入式系统。
　　另一个显著优势是其与GPU或处理单元的紧密集成设计。HBM2内存通常直接堆叠在GPU芯片上方（通过中介层Interposer），缩短了内存与处理器之间的物理距离，从而降低了信号延迟，提高了整体系统性能。这种结构也有助于减少电磁干扰（EMI）并提升信号完整性。
　　此外，H5AN8G8NMFR-VK 支持多种刷新模式和低功耗待机模式，能够根据系统需求动态调整功耗，适应不同应用场景的能效需求。

H5AN8G8NMFR-VK 主要应用于需要高带宽内存的高性能计算设备，如高端显卡（如NVIDIA和AMD的GPU）、AI加速卡、深度学习训练与推理设备、数据中心服务器、超级计算机以及高端游戏主机等。它的高带宽和低延迟特性使其成为图形渲染、大规模并行计算任务、图像处理和机器学习模型训练的理想选择。
　　例如，在现代GPU架构中，HBM2内存广泛用于支持4K/8K视频渲染、光线追踪（Ray Tracing）和复杂计算任务（如深度学习和科学模拟）。此外，在AI领域，该芯片能够有效支持大规模神经网络的训练和推理过程，提高模型运算效率。
　　由于其紧凑的封装形式，H5AN8G8NMFR-VK 也适用于对空间要求严格的嵌入式系统和边缘计算设备，如自动驾驶汽车的视觉处理模块、工业自动化系统和高性能网络设备。

H5AN8G8NMF-VK0C, H5AN8G8NMFR-VKCJ, H5AN8G8NMFR-VK0C, H5AN8G8NMF0-VK