型号：B4PS-VH-B(LF)(SN)
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　产品类型：MOSFET
　　技术：N-Channel Trench MOSFET
　　漏源电压 VDS：20 V
　　栅源电压 VGS：±12 V
　　连续漏极电流 ID：4.4 A
　　脉冲漏极电流 IDM：17.6 A
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 4.5V：28 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 2.5V：38 mΩ
　　阈值电压 Vth min：0.4 V
　　阈值电压 Vth max：1.0 V
　　输入电容 Ciss：320 pF
　　输出电容 Coss：90 pF
　　反向传输电容 Crss：40 pF
　　栅极电荷 Qg typ @ 4.5V：4.8 nC
　　功耗 PD：500 mW
　　工作结温范围 TJ：-55 °C to +150 °C
　　存储温度范围 TSTG：-55 °C to +150 °C
　　封装/外壳：SS-MINI (SOT-765)

B4PS-VH-B(LF)(SN) 具备多项关键特性，使其在低电压功率管理领域表现卓越。首先，该器件采用了 ROHM 专有的沟槽型场截止（Trench Field-Stop）结构，这种先进的制造工艺显著降低了导通电阻 RDS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。在 VGS = 4.5V 时，其最大 RDS(on) 仅为 28mΩ；即使在较低的驱动电压 VGS = 2.5V 下，也能维持在 38mΩ 的低水平，这使得它能够兼容现代低电压逻辑控制器（如微处理器或电源管理 IC）直接驱动，无需额外的电平转换电路。
　　其次，该 MOSFET 拥有极快的开关速度。其输入电容 Ciss 为 320pF，输出电容 Coss 为 90pF，反向传输电容 Crss 仅为 40pF，这些低电容值有助于减少开关过程中的能量损耗，并提升高频工作的稳定性。配合典型的总栅极电荷 Qg 仅为 4.8nC（在 4.5V 驱动下），意味着驱动电路所需提供的电荷量极少，进一步降低了驱动损耗并提升了系统效率，特别适合用于高频 DC-DC 变换器和同步整流拓扑。
　　第三，该器件具备出色的热性能和可靠性。尽管其封装尺寸极小（SS-MINI），但通过优化芯片布局和封装材料，实现了良好的散热能力。其最大功耗 PD 为 500mW，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽结温范围内稳定运行，确保在高温环境或高负载条件下仍保持可靠工作。此外，±12V 的栅源电压耐受能力提供了更强的抗干扰能力和操作安全性，防止因栅极过压导致的器件损坏。
　　最后，B4PS-VH-B(LF)(SN) 符合 RoHS 和无卤素（Halogen-Free）环保要求，支持绿色电子制造。其小型化封装不仅节省 PCB 空间，还便于实现轻薄化设计，是移动设备中理想的选择。综合来看，该器件在导通性能、开关速度、热管理和封装尺寸之间实现了优异平衡，是一款面向高集成度、高能效应用的理想 N 沟道 MOSFET。

B4PS-VH-B(LF)(SN) 主要应用于需要高效能、小尺寸和低功耗特性的便携式电子产品和电源管理系统中。典型应用场景包括锂电池供电设备中的负载开关和电源路径管理，例如在智能手机和平板电脑中用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或热插拔保护。由于其低导通电阻和快速响应能力，该器件非常适合作为同步降压（Buck）转换器中的下管（Low-Side Switch），在 DC-DC 转换电路中实现高效的能量转换，广泛用于 CPU 核心供电、内存电源和 I/O 电压调节等场合。
　　此外，该 MOSFET 还可用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的 H 桥驱动中作为开关元件，凭借其快速的开关特性和低损耗优势，有效提升驱动效率并减少发热。在 LED 背光驱动和恒流源电路中，也可利用其精确的导通控制能力实现亮度调节功能。
　　在热插拔和过流保护电路中，B4PS-VH-B(LF)(SN) 可作为主控开关，配合电流检测电阻和控制 IC 实现软启动和限流保护，防止系统上电瞬间的浪涌电流对后级电路造成冲击。其小型封装也使其成为可穿戴设备、蓝牙耳机、智能手表等对空间极度敏感的产品中的首选功率开关器件。总之，该器件适用于所有要求高效率、小体积和高可靠性的低压功率开关场景。

DMG2305UX-7
　　FDS6680A
　　SI2305DDS-T1-E3
　　AO3400A
　　TPSMB10P03