BST-3215A-1-11LGA-TR-00-0 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高性能功率晶体管,专为高频和高效率应用场景设计。它采用了先进的 LGA 封装形式,能够显著提升散热性能和电气连接可靠性。
该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力,适用于多种电源转换应用,例如 DC-DC 转换器、无线充电系统以及通信设备中的功率放大器等。
型号:BST-3215A-1-11LGA-TR-11
额定电压:650 V
额定电流:15 A
导通电阻:40 mΩ
最大功耗:150 W
工作温度范围:-55 ℃ 至 +150 ℃
栅极驱动电压:4.5 V 至 6 V
上升时间:5 ns
下降时间:5 ns
BST-3215A-1-11LGA-TR-00-0 的核心优势在于其卓越的开关性能和热管理能力。
首先,得益于 GaN 材料的独特属性,该器件能够在高频运行时保持较低的开关损耗,从而提高整体系统的效率。
其次,LGA 封装设计提供了出色的散热路径,使得芯片可以长时间在高负载条件下稳定工作。
此外,它的低寄生电感和高击穿电压使其非常适合需要高可靠性和高功率密度的应用场景。
最后,器件的超快开关速度减少了电磁干扰 (EMI) 并简化了滤波器设计,进一步降低了系统的复杂性。
该功率晶体管广泛应用于以下领域:
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 开关模式电源 (SMPS)
3. 无线充电发射端
4. 工业电机驱动
5. 通信基站中的功率模块
6. 汽车电子系统中的 DC-AC 转换
7. 光伏逆变器中的高频开关组件
BST-3215A-1-11LGA-TR-00-0 的高效率和紧凑尺寸特别适合对空间和能耗敏感的设计环境。
BST-3215A-1-11LGA-TR-00-A
BST-3215B-1-11LGA-TR-00-0
GAN063-650WSA