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IS43TR81024BL-125KBLI 发布时间 时间:2025/9/1 10:24:47 查看 阅读:7

IS43TR81024BL-125KBLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)推出的一款高速异步SRAM(静态随机存取存储器)芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具有低功耗、高速访问和高可靠性的特点,广泛应用于网络设备、工业控制、通信系统、嵌入式系统等领域。该SRAM芯片的容量为128K x 8位,支持异步读写操作,适用于对实时性和稳定性有较高要求的系统。

参数

容量:128K x 8 位
  组织方式:128KB = 131,072 字节
  访问时间:12ns(最大)
  电源电压:3.3V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:54引脚 TSOP
  接口类型:并行异步接口
  读取电流(最大):180mA
  待机电流(最大):10mA

特性

IS43TR81024BL-125KBLI 的核心优势在于其高速访问能力和低功耗特性。该芯片的访问时间仅为12ns,支持快速数据读取,满足高性能嵌入式系统的实时处理需求。其CMOS制造工艺不仅降低了静态功耗,还提高了抗干扰能力和热稳定性。
  此外,该SRAM芯片的工作温度范围为-40°C 至 +85°C,符合工业级标准,适用于复杂环境下的应用。54引脚TSOP封装形式不仅节省PCB空间,还具备良好的散热性能,适用于紧凑型设计和高密度系统。
  该芯片具备完整的地址与数据接口,支持异步读写控制信号(如CE#、OE#、WE#),便于与各种微处理器和控制器进行接口连接。在待机模式下,芯片的功耗可降至极低水平,适合对功耗敏感的应用场景。

应用

IS43TR81024BL-125KBLI 适用于多种嵌入式系统和工业电子设备,例如网络路由器、交换机、通信基站、视频采集系统、工业自动化控制器、医疗设备以及测试仪器等。由于其高速度和低功耗的特性,该芯片常用于需要临时存储运行数据或高速缓存的应用场景。在工业控制系统中,可用于存储运行参数、程序代码或实时数据。在通信设备中,可以作为高速缓存存储器,提升数据传输效率。同时,该芯片也适用于汽车电子系统中的数据缓冲模块,满足汽车电子对稳定性和环境适应性的严格要求。

替代型号

IS42S16100A-6T、IS43S16800A-6T、CY7C1041CV33-10ZSXI、IDT71V416SAG8B

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IS43TR81024BL-125KBLI参数

  • 现有数量2,528现货
  • 价格1 : ¥228.16000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量8Gb
  • 存储器组织1G x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-TWBGA(10x14)