时间：2025/7/23 12:01:57
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B14NK50Z是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）公司生产。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，适用于电源转换器、马达控制、电池管理系统以及其他需要高功率密度和低导通损耗的场景。B14NK50Z具有高耐压特性，最大漏极-源极电压（VDS）为500V，适用于中高功率应用。其封装形式为TO-220，便于散热并适合安装在标准散热片上。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：500V
栅极-源极电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：14A（在TC=25℃）
脉冲漏极电流（IDM）：56A
导通电阻（RDS(ON)）：约0.38Ω（典型值）
功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
栅极电荷（Qg）：约60nC
输入电容（Ciss）：约1200pF
B14NK50Z具备多项优良特性，适合高要求的功率应用。其主要特性如下：
1. 高耐压能力：B14NK50Z的漏极-源极击穿电压为500V，使其适用于多种中高压开关应用，如AC/DC电源、逆变器和马达驱动系统。
2. 低导通电阻：RDS(ON)的典型值约为0.38Ω，从而降低导通损耗，提高电源转换效率，适用于高效率电源设计。
3. 高电流容量：连续漏极电流可达14A，在适当的散热条件下能够支持较高的负载能力，适合需要大电流的电源和马达控制应用。
4. 快速开关特性：该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有利于减少开关损耗，提高开关频率，从而实现更紧凑的功率电路设计。
5. TO-220封装：该MOSFET采用标准TO-220封装，具有良好的散热性能，便于集成到PCB设计中，并可安装在标准散热片上以提高热管理能力。
6. 高可靠性：B14NK50Z设计用于工业级应用，具有良好的温度稳定性和长期工作可靠性，可在高温环境下稳定运行。
B14NK50Z广泛应用于需要中高压功率开关的各类电子系统中，主要包括：
1. 电源转换器：如AC/DC电源适配器、开关电源（SMPS）、DC/DC转换器等，用于提高转换效率和减小电源体积。
2. 电机控制：在工业自动化、电动工具、家用电器中的电机驱动电路中作为功率开关，实现高效的电机控制。
3. 电池管理系统：用于高电压电池组的充放电管理电路中，作为主开关器件，实现对电池的高效控制。
4. 逆变器系统：在UPS（不间断电源）、太阳能逆变器等应用中作为核心开关元件，负责将直流电转换为交流电。
5. 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、继电器驱动电路等，用于高电压负载的开关控制。
6. 家用电器：如微波炉、电磁炉、洗衣机等家电产品中的功率控制模块，实现高效、稳定的电能管理。
TK15A50D, IRFBC40, 2SK2647, 2SK2141
