时间：2025/4/30 11:09:56
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IRF5805TRPBF 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制程工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于需要高效能开关操作的应用场合。其封装形式为 TO-263-3 (D2PAK)，适合表面贴装，能够提供卓越的散热性能。
该 MOSFET 主要用于直流电机驱动、电源管理、负载切换以及各种工业控制应用中。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：75nC
功耗：54W
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
IRF5805TRPBF 具有低导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗并提高效率。此外，其高电流处理能力和快速开关速度使其非常适合要求严格的功率转换应用。
该器件还具备优秀的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。由于采用了 D2PAK 封装，它提供了良好的机械强度和热传导性能，从而增强了整体系统可靠性。
此外，IRF5805TRPBF 支持多种保护功能设计，例如过流保护和短路保护，确保在异常情况下的安全性。
该功率 MOSFET 广泛应用于汽车电子领域，如电动助力转向系统、制动器控制单元及燃油喷射系统等。
在消费类电子产品中，IRF5805TRPBF 可用于笔记本电脑适配器、平板电视电源以及 LED 照明驱动器。
工业应用方面，它适用于工厂自动化设备中的伺服驱动器、变频器以及不间断电源（UPS）系统。
IRFH5805TRPBF
