时间：2025/6/24 13:19:47
阅读：8
1210N150K202CT 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效率和快速开关的应用场景中。
该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热性能。其封装形式为 TO-263，适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和提高电路可靠性。
型号：1210N150K202CT
最大漏源电压 Vds：150V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：47A
脉冲漏极电流 Ibm：140A
导通电阻 Rds(on)：1.8mΩ（在 Vgs=10V 时）
总功耗 Ptot：290W
结温范围 Tj：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263
1210N150K202CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，能够满足高频开关应用的需求。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常工作条件下的鲁棒性。
4. 内置栅极保护二极管，防止因静电放电（ESD）导致的损坏。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 良好的热性能，确保器件在高温环境下仍能稳定运行。
该 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换和功率管理。
4. 新能源汽车和混合动力汽车中的电池管理系统（BMS）。
5. LED 照明驱动电路中的功率调节组件。
IRF1405ZPBF, FDP157N15AE, IXFN150N15T2
