时间：2025/5/22 16:20:33
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GA0805H561MXBBP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高频开关应用。该芯片采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其设计优化了效率和功率密度，适用于多种工业和消费类电子设备。
这款 MOSFET 通常用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、电机驱动器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
导通电阻（Rds(on)）：4.5 mΩ（典型值，Vgs=10V）
击穿电压（BVDSS）：50 V
漏极电流（Id）：78 A（最大值，脉冲条件）
栅极电荷（Qg）：25 nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1250 pF（典型值）
封装形式：TO-263（D2PAK）
GA0805H561MXBBP31G 的主要特点是其低导通电阻和快速开关性能，这使得它在高频应用中表现出色。此外，该器件还具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够承受瞬态过压和过流情况。
它的封装形式为 TO-263（D2PAK），这种封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和维护。另外，该芯片的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 +175°C，适合各种恶劣环境下的使用。
该芯片广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器以及 LED 驱动电路等场景。
在这些应用中，GA0805H561MXBBP31G 可以提供高效的功率转换和稳定的运行性能，满足现代电子产品对小型化、高效化和可靠性的要求。
IRF7739,
STP75NF06,
FDP5500,
AOTF14L
