PJU7NA60 时间：2025/8/14 22:09:11 阅读：22

PJU7NA60是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用。该器件采用先进的平面工艺技术，具有低导通电阻和良好的热性能，适合用于电源管理、马达控制、DC-DC转换器和各种开关电路。该MOSFET采用TO-252封装，便于散热，适合工业和汽车电子应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(ON)）：约2.8mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-252

特性

PJU7NA60具有多项优异特性，包括低导通电阻，有助于减少导通损耗并提高效率。其高电流承载能力（最大60A）使其适用于大功率应用。该器件的栅极驱动电压范围宽，通常在10V左右即可完全导通，适用于常见的MOSFET驱动电路。此外，其TO-252封装具备良好的热管理性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　这款MOSFET还具有快速开关特性，减少开关损耗，提高系统整体效率。其高温耐受能力（最高175°C）确保在严苛环境中依然保持稳定工作。该器件的高可靠性使其适用于汽车电子、工业控制和电源管理系统等关键应用领域。

应用

PJU7NA60广泛应用于多种电力电子系统中，包括DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统、电源供应器、UPS（不间断电源）、逆变器以及工业自动化设备。由于其高耐压和大电流能力，该MOSFET也常用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电器和电池管理系统。此外，它也可用于高功率LED驱动、智能电表和家用电器中的电源控制部分。