类型：NPN晶体管
　　封装：SOT-23
　　最大集电极电流：150mA
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大基极电流：100mA
　　最大功耗：300mW
　　过渡频率：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于工作电流）
　　工作温度范围：-55°C至150°C

2SD667CTZ-E晶体管具有多项显著特性，适用于多种电子设计场景。首先，其高频响应能力高达100MHz，使其非常适合用于射频放大器和高速开关电路。其次，该晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，从110到800不等，且随工作电流变化较小，能够在不同负载条件下保持稳定的放大性能。此外，2SD667CTZ-E的低饱和电压特性降低了导通状态下的功率损耗，提高了电路的整体效率。
　　该晶体管采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。同时，这种封装具有良好的热稳定性和机械强度，适合在多种环境条件下工作。晶体管的工作温度范围为-55°C至150°C，确保了其在极端温度环境下的可靠性。
　　从制造和应用角度来看，2SD667CTZ-E采用了东芝的先进硅工艺技术，确保了器件的高稳定性和长寿命。其设计特别适用于低噪声放大器、高频振荡器和通用开关电路。晶体管的引脚排列合理，简化了电路设计和PCB布局，同时减少了寄生电感和电容的影响，从而提高了高频性能。
　　综合来看，2SD667CTZ-E是一款性能优良、应用广泛的晶体管器件，适用于各种需要高频响应和稳定增益的电子设计应用。

2SD667CTZ-E晶体管广泛应用于多个电子领域。首先，它常用于射频（RF）放大器设计，例如在无线通信系统、射频接收器和发射器中作为前置放大器或驱动放大器。其次，该晶体管也适用于音频放大器设计，特别是需要高保真和低失真的音频应用。此外，2SD667CTZ-E在数字开关电路中也有出色表现，适用于逻辑电路、缓冲器和驱动电路等场景。
　　在电源管理电路中，2SD667CTZ-E可用于DC-DC转换器和电压调节电路中的开关元件，利用其快速开关特性和低饱和电压来提高效率。同时，该晶体管也可用于振荡器电路，生成稳定的高频信号，适用于时钟发生器和信号发生器等应用。由于其SOT-23封装的紧凑设计，2SD667CTZ-E也广泛应用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和穿戴设备中。

2N3904, BC547, 2SC1815, 2SD667-Y, 2SD667-O