类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流 (Id)：120A
　　漏极-源极击穿电压 (Vds)：30V
　　栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：3.7mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散 (Pd)：140W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：HSON (PowerSSO-8L)
　　安装类型：表面贴装
　　

B1207RU 具有以下显著特性：
　　1. **低导通电阻**：3.7mΩ 的 Rds(on) 降低了导通损耗，提高了能效，适用于高电流应用场景。
　　2. **高电流承载能力**：最大漏极电流可达 120A，适用于高功率负载的开关控制。
　　3. **高频率工作能力**：由于快速的开关特性和低寄生电容，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。
　　4. **热性能优异**：采用 HSON 封装，具有良好的散热能力，能够在高功率下稳定运行。
　　5. **宽栅极电压范围**：±20V 的栅极耐压允许使用标准驱动器进行控制，提高了设计的灵活性。
　　6. **可靠性高**：符合 RoHS 标准，适用于工业级和汽车电子应用，具备良好的长期稳定性。
　　7. **过热保护**：在高温环境下具备良好的稳定性和保护能力，延长器件使用寿命。

B1207RU 广泛应用于以下领域：
　　1. **电源管理系统**：如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等，用于提高电源转换效率并减少热量产生。
　　2. **电机控制电路**：适用于电动工具、工业自动化设备和机器人控制，提供高效的电机驱动开关解决方案。
　　3. **汽车电子系统**：包括车载充电器、电池管理系统和车身控制模块，满足汽车电子对高可靠性和高稳定性的要求。
　　4. **服务器和通信设备**：用于高效率电源模块和热插拔保护电路，提高设备的稳定性和能源利用率。
　　5. **消费电子产品**：例如高功率 LED 驱动、笔记本电脑电源适配器和移动电源，提供紧凑且高效的电源管理方案。

SiR120DP-T1-GE3, FDP120N30T, IRLU8726PBF