型号：IRFS4620
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：650 V
　　最大连续漏极电流（ID @ 25°C）：10.3 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：41 A
　　最大栅源电压（VGSS）：±20 V
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 10 V：0.24 Ω
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 10 V, TJ = 110°C：0.32 Ω
　　栅极电荷（Qg）典型值：57 nC
　　输入电容（Ciss）典型值：1200 pF
　　输出电容（Coss）典型值：190 pF
　　反向恢复时间（trr）典型值：28 ns
　　阈值电压（Vth）最小值：3.0 V
　　阈值电压（Vth）最大值：5.0 V
　　最大功耗（PD）：200 W
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-247

IRFS4620采用了英飞凌独有的TrenchStop?技术和先进的沟道设计，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其RDS(on)在VGS = 10 V时仅为0.24 Ω，有效降低了导通状态下的功率损耗，尤其适用于大电流应用场景。该器件具有较低的栅极电荷（Qg = 57 nC），这直接减少了驱动电路所需的能量，并允许更高的开关频率运行，从而缩小磁性元件和滤波电容的尺寸，提高电源系统的功率密度。同时，其输入和输出电容较小，进一步降低了高频工作时的动态损耗。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性，在结温升至110°C时，RDS(on)仅上升至0.32 Ω，表现出良好的温度线性响应，便于进行热设计与保护机制设定。器件的阈值电压范围适中（3.0–5.0 V），可兼容标准逻辑电平和模拟控制IC的驱动信号，提升了系统集成灵活性。此外，IRFS4620内置的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr = 28 ns），显著减小了反向恢复电荷（Qrr），避免了因二极管拖尾电流引起的额外开关损耗和电磁干扰问题，特别适合硬开关和准谐振拓扑结构。
　　在可靠性方面，IRFS4620通过了严格的工业级认证，具备高雪崩能量承受能力，可在瞬态过压条件下保持稳健运行。其封装采用TO-247形式，具有较大的金属背板，便于安装散热器，实现高效热传导。器件还具备良好的dv/dt和di/dt抗扰能力，减少误触发风险，提升系统鲁棒性。综合来看，IRFS4620是一款兼顾效率、可靠性和热管理优势的高端功率MOSFET，非常适合用于高性能电源系统的设计中。

IRFS4620广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。典型用途包括离线式开关电源（SMPS），特别是在PFC（功率因数校正）升压级和主变换器中，其高耐压与低导通损耗特性有助于实现高能效转换。在DC-DC转换器中，尤其是半桥或全桥拓扑结构下，该器件能够胜任高频软开关与硬开关操作，适用于服务器电源、通信电源及工业电源模块。
　　在可再生能源领域，IRFS4620可用于太阳能逆变器中的直流斩波或MPPT（最大功率点跟踪）电路，其快速开关能力和良好热性能确保系统长期稳定运行。此外，在电机驱动应用中，如伺服驱动器、变频器和电动工具控制器中，该MOSFET可作为主开关元件，提供精确的PWM控制与高效的能量传输。
　　照明系统中，特别是电子镇流器和LED驱动电源，IRFS4620凭借其低噪声开关特性和高可靠性，成为理想选择。在UPS（不间断电源）和电池管理系统中，该器件也常用于双向能量流动控制和隔离式DC-DC变换环节。由于其具备宽泛的工作温度范围和坚固的封装结构，IRFS4620同样适用于严苛环境下的工业自动化设备和户外电力装置。总之，凡是要求高效率、高可靠性和紧凑设计的高压功率转换场景，IRFS4620均能提供卓越的性能支持。

IPB65R290CFD
　　STW48N60M2
　　SPW47N60C3