产品类型：双肖特基二极管
　　通道数：2
　　封装类型：SOD-323
　　包装规格：卷带包装
　　反向重复峰值电压（VRRM）：30 V
　　最大直流阻断电压（VR）：30 V
　　正向连续电流（IF）：200 mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：500 mA
　　正向压降（VF）：@ IF = 10 mA: 0.37 V, @ IF = 50 mA: 0.48 V
　　反向漏电流（IR）：@ VR = 30 V: 1 μA
　　结温范围（Tj）：-55°C ~ +125°C
　　储存温度范围：-65°C ~ +150°C
　　电容值（CT）：@ VR = 0 V, f = 1 MHz: 12 pF

HSMBJSAC12TR-13具备优异的高频性能和低功耗特性，其核心优势在于采用了先进的硅肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降与快速开关响应能力。这种设计显著减少了信号传输过程中的能量损耗，提升了整体系统的能效表现。该器件的典型正向压降仅为0.37V（在10mA条件下），相比传统PN结二极管大幅降低，有助于减少发热并延长电池寿命，特别适合应用于对功耗敏感的便携式设备中。
　　另一个关键特性是其低寄生电容，典型值为12pF（在0V偏置下，频率为1MHz时测量），这使得它能够在高频信号路径中保持良好的信号完整性，避免高频衰减或失真，因此常被用于USB、HDMI、RF前端模块等高速数据接口的瞬态抑制与信号调理电路中。此外，该器件具有出色的ESD耐受能力，能够承受IEC 61000-4-2规定的±8kV接触放电和±15kV空气放电，有效保护下游敏感集成电路免受静电损伤。
　　HSMBJSAC12TR-13还具备良好的热稳定性和长期可靠性，在-55°C至+125°C的工作结温范围内性能稳定，适用于工业级和汽车级应用场景。其SOD-323小型化封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，提高了制造效率。同时，该器件无卤素且符合RoHS指令要求，满足现代绿色电子产品设计规范。总体而言，这款双二极管阵列在速度、尺寸、效率和可靠性之间取得了良好平衡，是高性能模拟和混合信号电路中的理想选择。

该器件广泛应用于多种需要高速开关和信号保护的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与接口保护；在通信领域，用于以太网端口、串行数据线（如I2C、SPI、UART）的瞬态电压抑制和信号整形；也可作为高频检波器或包络检测电路中的核心元件出现在射频接收前端。由于其低电容和快速响应特性，常被集成在高速差分信号线路中，用于防止过压冲击和反向电流倒灌。此外，在传感器信号调理电路中，HSMBJSAC12TR-13可用于输入端的钳位保护，防止因外部干扰导致的芯片损坏。其高可靠性也使其适用于工业控制、汽车电子和医疗仪器等对稳定性要求较高的环境。

HSMS282x\HSMS280x\SMS7621\RB520S