时间：2025/5/10 16:03:33
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IPD25DP06NM 是一款基于硅基的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特性，适用于多种电源管理应用。其封装形式通常为行业标准的小型表面贴装器件 (SMD)，适合高密度电路设计。这种功率 MOSFET 的典型应用场景包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。
这款 MOSFET 的设计目标是提供高性能的同时兼顾低成本，因此在消费电子、工业控制和通信设备领域有广泛应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：25A
导通电阻：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：75nC（典型值）
反向恢复时间：30ns（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263 (DPAK)
IPD25DP06NM 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，使其非常适合高频开关电源和其他高频应用。
3. 高额定电流与出色的热性能，确保器件能够在苛刻条件下稳定运行。
4. 支持宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境下的应用需求。
5. 小型化封装设计，有助于减少整体解决方案的体积和重量。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下几个领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 各类负载开关和保护电路，例如 USB 充电器和适配器。
3. 工业级电机驱动器和逆变器。
4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统 (BMS)。
5. 通信基础设施中的高效电源转换模块。
6. 多种便携式设备和家用电器的功率控制部分。
IRLZ44N, FDP25N06L, AO3400
