时间：2025/8/16 11:36:03
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B0530WSE 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中。该器件采用小型表面贴装封装，适用于高密度电路设计。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100mA（最大值）
功耗（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-523
导通电阻（Rds(on)）：约 3.5Ω（典型值，Vgs = 10V）
阈值电压（Vgs(th)）：1.0V 至 2.5V
输入电容（Ciss）：约 15pF
反向传输电容（Crss）：约 3pF
B0530WSE 具备低导通电阻和小型封装，适合用于低功率开关应用。其高栅极耐压能力（±20V）增强了在各种工作条件下的可靠性。该器件的低漏电流特性有助于减少静态功耗，提高系统能效。此外，B0530WSE 在设计中采用了 RoHM 的先进工艺技术，以确保在高温环境下依然保持稳定性能。
该 MOSFET 的 SOT-523 封装不仅体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，而且支持自动贴片工艺，提高了生产效率。其热阻较低，有助于有效散热，从而延长器件的使用寿命。B0530WSE 还具有良好的抗静电能力，提升了在实际应用中的稳定性与安全性。
B0530WSE 常用于便携式电子产品、智能手机、平板电脑、笔记本电脑、LED 照明控制、传感器接口电路以及电池管理系统等。它也适用于需要低功耗和小型化设计的工业控制设备和消费类电子产品。
BSS138, 2N7002, FDV301N
