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ZTX857STZ 发布时间 时间:2023/8/11 17:28:46 查看 阅读:202

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):300V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 600mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 500mA, 10V
功率 - 最大:1.2W
频率 - 转换:80MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226
包装:带盒 (TB)
供应商设备封装:*

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ZTX857STZ参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)300V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 600mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 500mA,10V
  • 功率 - 最大1.2W
  • 频率 - 转换80MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
  • 供应商设备封装TO-92-3
  • 包装带盒(TB)