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MC30P6060A0T 发布时间 时间:2025/5/23 3:19:17 查看 阅读:3

MC30P6060A0T 是一款高性能的功率 MOSFET,采用先进的半导体制造工艺设计。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于各种高频开关应用场合。其出色的热特性和电气特性使其在电源管理、电机驱动以及电信设备中得到广泛应用。
  该功率 MOSFET 的主要特点是高效率和低损耗,能够在高温环境下保持稳定的工作性能。此外,它还具备过流保护和短路保护功能,从而提高了系统的可靠性和安全性。

参数

型号:MC30P6060A0T
  类型:P-Channel MOSFET
  Vds(漏源极电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ
  Id(连续漏极电流):60A
  Ptot(总功耗):120W
  f(工作频率):500kHz
  封装形式:TO-247

特性

MC30P6060A0T 具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高整体效率。
  2. 快速开关特性,能够适应高频工作环境,适合用于开关电源和 DC-DC 转换器。
  3. 强大的电流承载能力,支持高达 60A 的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
  4. 高耐压能力,额定漏源极电压为 60V,确保在复杂电路中的稳定性。
  5. 内置保护功能,包括过流保护和短路保护,有效防止器件因异常工况而损坏。
  6. 良好的热性能,允许在较高温度下持续运行,增强了系统的可靠性。
  7. 封装形式为 TO-247,便于安装和散热设计。

应用

MC30P6060A0T 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动器和逆变器。
  3. 电信设备中的功率管理模块。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 汽车电子系统中的高电流控制。
  6. UPS(不间断电源)和其他电池管理系统。
  由于其卓越的电气特性和热性能,这款 MOSFET 成为需要高效率和高可靠性的应用的理想选择。

替代型号

IRF650PBF
  STP60NF06
  FDP6007

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