时间：2025/6/17 3:13:43
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AZ9824-02S.R7G是一款高性能的功率MOSFET芯片，适用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，从而能够有效降低功耗并提高系统效率。
其设计旨在满足高频率、高效率和高可靠性需求，特别适合在工业控制、消费电子以及通信设备中使用。通过优化的封装设计，该器件还具有良好的散热性能。
型号：AZ9824-02S.R7G
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极击穿电压(Vdss)：60V
栅源极击穿电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：24A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：35nC（典型值）
总电容(Ciss)：1280pF（典型值）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，可满足现代电力电子应用的需求。
3. 高额定电流和耐压能力，增强了器件的鲁棒性和适用范围。
4. 优异的热稳定性，确保在极端工作条件下仍能保持性能。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
6. 精确的阈值电压控制，使得驱动电路设计更加简单且稳定。
7. 良好的抗静电能力(ESD保护)，提高了产品在实际使用中的可靠性。
1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率级开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 通信电源模块中的高效功率管理。
6. 汽车电子系统中的大电流开关应用。
7. 各类电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
IRFZ44N
STP36NF06L
FDP5800
