时间：2025/4/28 13:40:19
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DMP31D7LW是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用DFN5060-2L封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效能功率转换应用。其出色的性能使其成为消费电子、通信设备及工业控制等领域的理想选择。
这款MOSFET通过优化的制造工艺实现了更低的导通损耗和更高的效率，在便携式设备、电源管理模块以及电机驱动等应用中表现优异。同时，由于其紧凑的封装设计，能够有效节省PCB空间，满足现代电子产品对小型化和高效能的双重需求。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：4nC
总电容：125pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少功耗并提升系统效率。
2. 快速开关特性，适合高频应用。
3. 小尺寸DFN5060-2L封装，有助于节省PCB空间。
4. 高雪崩能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器的功率开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 消费类电子产品中的电源管理。
5. 电机驱动和逆变器应用。
6. 各种便携式设备中的负载切换功能。
DMN2010UFH, AO3400A, FDN340P
