时间：2025/5/19 9:23:22
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FV31N120J102PXG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道 MOSFET 功率晶体管。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率转换和电机驱动应用。
该型号采用 TO-247 封装形式，提供出色的散热性能，能够承受较高的电流和电压需求。其设计目标是为工业和消费类电子设备提供高效的功率控制解决方案。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：31A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：95nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
FV31N120J102PXG 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压能力，额定 1200V，使其适合高压应用。
2. 低导通电阻 (Rds(on))，在额定电流下可减少功率损耗，提高效率。
3. 快速开关性能，有助于降低开关损耗并支持高频操作。
6. 通过 Avalanche 和雪崩能量测试，增强了对瞬态电压的耐受能力。
FV31N120J102PXG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和变频器。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. 电动车充电器和电力管理系统。
5. 电磁阀和继电器驱动电路。
6. 高压大电流开关应用。
7. 各种需要高效功率管理的工业与消费类电子产品。
FV31N120J102PG, IRGB30B120DPBF, FCH047N120
