时间：2025/6/25 16:32:50
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MT21B474K250CT 是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于功率转换和电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式为 TO-263-3，适合表面贴装技术（SMT）装配流程。
该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET，能够有效降低传导损耗并提高系统效率。在设计中，它通常被用作功率开关或负载开关，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：25A
导通电阻：4.7mΩ
栅极电荷：58nC
输入电容：1700pF
总功耗：19W
工作结温范围：-55℃ to 175℃
MT21B474K250CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高开关速度，支持高频操作，适用于各种开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 强大的雪崩能力，可承受瞬态过压情况。
4. 内置静电放电（ESD）保护功能，提高了器件的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 热性能优异，能够在高温环境下稳定运行。
7. 封装紧凑，便于集成到小型化设计中。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换和功率管理。
4. 新能源汽车中的电池管理系统（BMS）及 DC-DC 转换。
5. LED 照明驱动器中的恒流控制。
6. 计算机及外设中的电源管理模块。
由于其出色的性能和可靠性，MT21B474K250CT 成为了许多高功率密度设计的理想选择。
IRFZ44N, FDP17N10, STP17NF10
