时间：2025/8/28 20:27:11
阅读：9
ARF460A 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用设计。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流能力，适用于如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场景。ARF460A 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，适合用于需要高功率密度和高效能的应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A（在 Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大 2.9mΩ（在 Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
ARF460A 的关键特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定运行，确保在重载时仍能保持良好的性能。
该器件采用 TO-263（D2PAK）封装形式，具备良好的热管理和散热性能，适用于表面贴装技术（SMT）组装，提高了 PCB 的布局灵活性。封装设计还增强了机械强度，确保在各种工作环境下的可靠性。
ARF460A 的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 10V 栅极驱动电压，同时也能承受高达 ±20V 的栅极电压，提供更广泛的应用兼容性。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提升整体系统的动态响应能力。
此外，该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，避免因过热而导致的性能下降或器件损坏。其设计符合 AEC-Q101 汽车电子标准，适用于对可靠性要求较高的汽车应用领域。
ARF460A 主要应用于需要高效功率管理的场合，包括但不限于：电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及工业自动化控制系统。
在汽车电子领域，该器件可用于电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）和 DC-AC 逆变器等关键部件，满足汽车应用对高可靠性和高效率的严格要求。
此外，ARF460A 也广泛用于通信设备、服务器电源、储能系统和工业电机控制等高功率应用场景，提供稳定可靠的功率开关解决方案。
SiS828DN, NexFET CSD17551Q5A, IRF1324S-7PPBF
