电容值：10μF
　　额定电压：6.3V
　　容差：±20%
　　封装：SMD
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　尺寸：1812（4.5mm x 3.2mm）
　　介质材料：X5R
　　ESR（等效串联电阻）：约15mΩ
　　额定纹波电流：100mA（100kHz）

BMV-6R3ADA100MD55G 具有优异的电气性能和稳定性。其X5R介质材料确保在较宽的温度范围内电容值保持稳定，温度系数为±15%在-55°C至+125°C之间。该电容器的低ESR特性使其适用于高频滤波和去耦应用，能够有效降低电源噪声和提高电路稳定性。此外，该器件具有较高的耐久性，能够在恶劣的环境条件下正常工作，如高温、高湿或振动环境。
　　该电容器的设计还考虑了机械强度和热稳定性，确保在焊接过程中不会因热应力而损坏。其SMD封装形式不仅节省了PCB空间，还提高了组装效率。由于其±20%的容差，该电容器适用于对容量精度要求不是特别严格的电路应用。BMV-6R3ADA100MD55G还具有良好的自愈能力，即使在受到轻微电压过载时也能恢复正常工作。

BMV-6R3ADA100MD55G 电容器广泛应用于各类电子设备中，包括消费电子、工业控制系统、通信设备和汽车电子。在消费电子产品中，它可以用于去耦和滤波，以提高电源稳定性和减少噪声。在工业控制系统中，该电容器可用于保护电路免受电压波动的影响，确保系统稳定运行。在通信设备中，BMV-6R3ADA100MD55G 可用于射频电路的滤波和耦合，提升信号质量。在汽车电子系统中，该电容器可以用于电源管理模块，确保车辆电子设备在复杂环境下可靠运行。
　　此外，该电容器也适用于电源转换器和稳压器中的输出滤波电路，能够有效降低输出纹波并提高转换效率。在高频电路设计中，其低ESR特性使其成为理想的去耦电容，能够快速响应瞬态负载变化，保持电压稳定。BMV-6R3ADA100MD55G 还可应用于LED驱动电路、电池管理系统和传感器模块等场景。

TCJCA106M006R, GRM188R60J106MEA0D, CL21A106MAQNNNE