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IPB45N06S4L-08 发布时间 时间:2025/7/11 12:17:15 查看 阅读:13

IPB45N06S4L-08 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沒尔功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的沟槽式技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点。其额定电压为 60V,连续漏极电流高达 45A,适用于高效能的开关电源、电机驱动以及 DC/DC 转换等应用。
  这款 MOSFET 的封装形式为 TO-220FP,支持表面贴装,便于自动化生产和散热设计。得益于其出色的动态性能和较低的栅极电荷,IPB45N06S4L-08 在高频开关应用中表现出色,同时其优异的热稳定性和可靠性使其能够在严苛的工作条件下长期运行。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻(典型值):3.7mΩ
  栅极电荷:15nC
  总电容:1200pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:TO-220FP

特性

IPB45N06S4L-08 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,能够减少传导损耗,提高整体效率。
  2. 高效的开关性能,适合高频应用,如开关电源和 DC/DC 转换器。
  3. 热稳定性强,可在宽广的温度范围内可靠运行。
  4. 低栅极电荷设计,减少了驱动功耗并提升了开关速度。
  5. 封装形式便于安装和散热,简化了 PCB 设计过程。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子设备的需求。

应用

该型号的 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),用于实现高效的电压转换。
  2. DC/DC 转换器,提供稳定的直流输出电压。
  3. 电机驱动电路,控制电机的速度和方向。
  4. 逆变器,将直流电转换为交流电以供各种设备使用。
  5. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  6. 电池管理系统(BMS),用于电池充放电控制及保护。

替代型号

IPP025N06S4-02, IPP050N06S4L-02

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IPB45N06S4L-08参数

  • 数据列表IPx45N06S4L-08
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C45A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.9 毫欧 @ 45A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 35µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs64nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4780pF @ 25V
  • 功率 - 最大71W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装PG-TO263-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP000374316