CMD273P3 时间：2025/8/15 14:17:06 阅读：4

CMD273P3是一款由Analog Devices（亚德诺半导体）推出的高性能射频（RF）功率放大器芯片，属于其GaAs（砷化镓）工艺制造的MMIC（单片微波集成电路）产品系列。该芯片专为高频率、高线性度和高输出功率的应用而设计，适用于通信、雷达、测试设备和无线基础设施等领域。CMD273P3具有紧凑的封装形式和优异的热管理性能，能够在高频段（如微波和毫米波）提供稳定的放大效果。

参数

工作频率范围：24 GHz至40 GHz
　　输出功率（Pout）：26 dBm（典型值）
　　小信号增益：20 dB（典型值）
　　功率附加效率（PAE）：18%（典型值）
　　输入和输出阻抗：50 Ω
　　工作电压：5 V或10 V可选
　　电流消耗：150 mA（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　封装类型：3 mm × 3 mm，16引脚 QFN

特性

CMD273P3在毫米波频段（24 GHz至40 GHz）内提供高性能的射频功率放大能力，具有高达20 dB的小信号增益，确保了信号的高增益放大效果。该芯片采用GaAs工艺技术，具备出色的高频响应和稳定性，适用于高带宽通信系统。其输出功率可达26 dBm，同时具有18%的功率附加效率（PAE），在高频率下保持良好的能量转换效率。
　　CMD273P3支持5 V或10 V的电源供电模式，具有灵活的电源配置选项，能够适应不同的系统设计需求。其电流消耗为150 mA，功耗相对较低，适合对功耗敏感的设备。该芯片内置匹配电路，减少了外部电路的设计复杂度，简化了系统集成流程。
　　该芯片的封装尺寸为3 mm × 3 mm，采用16引脚QFN封装，便于高密度PCB布局，并具有良好的散热性能。此外，CMD273P3可在-55°C至+125°C的宽温度范围内工作，确保在极端环境下的稳定运行，适用于工业级和军事级应用。
　　为了提升信号的线性度和稳定性，CMD273P3设计有高输入和输出回波损耗（Return Loss），并提供平坦的增益响应，确保在整个频率范围内信号质量的一致性。其50 Ω的输入和输出阻抗特性，使得与外围电路的阻抗匹配更加简便。

应用

CMD273P3广泛应用于毫米波通信系统，如5G无线网络、毫米波雷达、高精度测试设备和卫星通信系统。其高频率工作能力使其成为24 GHz至40 GHz频段的理想功率放大器解决方案。在5G通信中，该芯片可用于毫米波频段的基站射频前端，提升信号传输距离和系统覆盖能力。在雷达应用中，CMD273P3可作为发射模块的功率放大器，增强探测距离和分辨率。此外，在测试与测量设备中，该芯片可用于信号发生器或频谱分析仪的射频放大模块，提高设备的输出功率和精度。由于其紧凑的封装和宽温度范围，CMD273P3也适用于航空航天、工业自动化和高级驾驶辅助系统（ADAS）等高要求领域。