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2SK3550-01R 发布时间 时间:2025/8/9 14:23:03 查看 阅读:23

2SK3550-01R是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用。该MOSFET采用先进的沟槽工艺技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高效率的特点,能够提供较高的电流承载能力和良好的热稳定性。2SK3550-01R封装形式为SOP(小外形封装),适用于表面贴装工艺,适合高密度电路设计。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):60A
  导通电阻(Rds(on)):最大6.5mΩ(在Vgs=10V时)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOP(表面贴装)

特性

2SK3550-01R具备多项优异的电气和物理特性。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。在Vgs=10V时,Rds(on)最大仅为6.5mΩ,使得该器件非常适合用于高电流应用,如电源管理模块和电机驱动器。其次,该MOSFET具有较高的电流承载能力,额定连续漏极电流可达60A,能够在高负载条件下稳定运行。
  此外,2SK3550-01R采用先进的沟槽式MOSFET结构,提升了开关性能和热稳定性,从而在高频开关应用中表现出色,适用于DC-DC转换器、同步整流器等高频电路。其±20V的栅源电压容限增强了抗过压能力,提高了器件在复杂电磁环境下的可靠性。
  该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,具备良好的热管理和耐高温能力,适用于各种严苛环境条件下的应用。封装形式为SOP,体积小巧,适合表面贴装,有助于提高PCB的布局密度并简化制造流程。这些特性使2SK3550-01R成为高性能功率电子设备中的理想选择。

应用

2SK3550-01R广泛应用于多个领域,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、LED驱动器以及工业自动化设备。在开关电源中,该MOSFET可作为主开关或同步整流器,提高能效并减小电源体积。在DC-DC转换器中,其低Rds(on)和高电流能力有助于提升转换效率,特别是在高频率工作条件下表现优异。
  此外,2SK3550-01R也适用于需要高可靠性和高效率的工业控制电路,如伺服电机驱动、PLC(可编程逻辑控制器)输出模块等。在电池管理系统中,该MOSFET可用于电池充放电控制和保护电路,确保系统安全运行。其表面贴装封装形式也使其适用于自动化生产和高密度PCB设计,广泛用于消费类电子产品、通信设备及汽车电子系统。

替代型号

2SK3550-01R的替代型号包括2SK3550、2SK3550-01L、Si7466DP、IRF6717、FDMS86180

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