时间：2025/4/30 17:53:20
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BSC0924NDI是一款N沟道增强型MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种功率转换应用，如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。BSC0924NDI的工作电压范围为30V，能够承受较高的漏源电压，并提供出色的电流处理能力。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：16mΩ
栅极电荷(Qg)：10nC
输入电容(Ciss)：1270pF
总功耗(Ptot)：22W
工作结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
BSC0924NDI具有非常低的导通电阻Rds(on)，可以显著降低导通损耗，提高系统效率。
其高电流处理能力和快速开关性能使其非常适合高频开关应用。
内置反向二极管设计有助于在需要续流二极管的应用中简化电路设计。
器件采用了先进的工艺技术制造，确保了稳定性和可靠性。
TO-252封装形式适合表面贴装技术(SMT)，便于自动化生产。
BSC0924NDI广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于以下：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 便携式设备中的负载开关。
3. 工业和消费类产品的电机驱动。
4. 各种降压和升压DC-DC转换器。
5. 电池保护和管理系统中的功率开关。
BSC0924LSG
IRLZ44N
FDP092N
AO3400
