时间：2025/7/9 1:51:02
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QMK212SD681KD-T 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，适用于高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺，能够提供较低的导通电阻和快速的开关速度，从而实现高效的功率转换。其封装形式为 TO-263（D2PAK），适合表面贴装技术（SMT）使用。
该型号广泛用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理以及各种工业电子设备中。
类型：N-Channel MOSFET
电压 - 漏源 (Vds)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)：52A
功耗 (Pd)：140W
导通电阻 (Rds(on))：2.5mΩ
栅极电荷 (Qg)：47nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-263 (D2PAK)
QMK212SD681KD-T 提供了出色的电气性能，主要体现在以下方面：
1. 极低的导通电阻 (2.5mΩ)，可显著降低功率损耗。
2. 高电流承载能力 (52A)，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关速度，支持高频运行环境。
4. 强大的热稳定性，可在极端温度范围内可靠工作 (-55℃ 至 +175℃)。
5. 封装设计紧凑，便于自动化生产和高效散热。
6. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的鲁棒性。
这些特性使得 QMK212SD681KD-T 成为许多功率电子应用的理想选择。
这款 MOSFET 广泛应用于多种领域，包括但不限于以下：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. 工业控制中的电机驱动电路。
3. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统。
4. LED 照明驱动器。
5. 通信设备中的 DC-DC 转换模块。
6. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换。
7. 各种消费类电子产品中的负载切换和保护电路。
QMK212SD681KD-S, IRFZ44N, FDP5800
