时间：2025/8/8 22:30:02
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C25M-04N 是一款由 IXYS 公司制造的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关和功率转换应用。这款晶体管采用 TO-263 封装（也称为 D2PAK），具有较低的导通电阻和较高的功率处理能力，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流：25A
最大漏源电压：40V
导通电阻（Rds(on)）：0.045Ω
栅极电荷：50nC
最大功率耗散：160W
封装：TO-263（表面贴装）
C25M-04N 的主要特性之一是其较低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统的效率。此外，该器件具有较高的额定漏极电流（高达 25A），使其能够处理高功率负载。
该 MOSFET 采用 TO-263 封装，具备良好的热管理和散热性能，适合用于紧凑型高功率密度设计。同时，该器件的栅极电荷较低，有助于提高开关速度，从而降低开关损耗。
在可靠性方面，C25M-04N 设计用于高温环境，并具有良好的抗雪崩击穿能力。该器件还具备较高的短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供一定的保护作用。
C25M-04N 广泛应用于多种高功率电子设备中，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器和电源管理系统。在电源转换器中，该 MOSFET 可用于高效能同步整流设计，以提高转换效率并减少热量产生。
在电机控制和电池管理系统中，C25M-04N 可作为高侧或低侧开关使用，支持大电流负载的快速切换。此外，该器件还可用于 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和工业自动化设备中的功率控制部分。
由于其高可靠性和良好的热性能，C25M-04N 也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动车辆的电源管理系统等。
IRF3710, FDP2532, Si4410DY
