H26M42003GMR 时间：2025/9/2 11:20:57 阅读：29

H26M42003GMR 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能的存储器件。该芯片通常用于需要高速数据存取和大容量内存的应用场合，如计算机系统、服务器、网络设备和嵌入式系统等。H26M42003GMR 的设计旨在提供可靠的内存解决方案，具备良好的稳定性和兼容性，适用于多种现代电子设备。

参数

容量：256Mbit
　　组织结构：16M x 16
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：5.4ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　时钟频率：166MHz
　　数据速率：166MHz

特性

H26M42003GMR 芯片具备多项优良特性，首先是其高速存取能力，访问时间仅为5.4ns，使得该芯片能够在高频环境下稳定工作，适用于需要快速响应的应用场景。此外，该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，使其具备较强的电源适应性，在不同电源条件下均可稳定运行。
　　该芯片采用16M x 16的组织结构，提供256Mbit的存储容量，适用于需要较大内存容量的系统。其TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了散热性能和电气性能，适合高密度PCB布局。H26M42003GMR 支持-40°C至+85°C的宽工作温度范围，确保其在极端环境下的可靠运行，适用于工业级和车载级应用。
　　在时钟频率方面，H26M42003GMR 支持最高166MHz的频率，数据传输速率同样可达166MHz，保证了高效的数据吞吐能力。其54引脚TSOP封装设计，便于自动化生产和焊接，提高了制造效率和产品一致性。这些特性使得H26M42003GMR 成为高性能嵌入式系统、工业控制设备和网络通信设备的理想存储解决方案。

应用

H26M42003GMR 芯片广泛应用于多个领域，包括但不限于高性能嵌入式系统、工业自动化设备、网络路由器和交换机、视频监控设备、通信基站以及汽车电子控制系统等。由于其高速存取、宽温工作和良好的电气性能，该芯片特别适合用于需要高稳定性和实时响应的工业和通信设备。此外，它也可用于消费类电子产品中，如高清电视、智能机顶盒和高性能数码设备，为这些设备提供充足的内存支持和流畅的数据处理能力。