H26M42003GMR 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能的存储器件。该芯片通常用于需要高速数据存取和大容量内存的应用场合,如计算机系统、服务器、网络设备和嵌入式系统等。H26M42003GMR 的设计旨在提供可靠的内存解决方案,具备良好的稳定性和兼容性,适用于多种现代电子设备。
容量:256Mbit
组织结构:16M x 16
电源电压:2.3V - 3.6V
访问时间:5.4ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP
引脚数:54
时钟频率:166MHz
数据速率:166MHz
H26M42003GMR 芯片具备多项优良特性,首先是其高速存取能力,访问时间仅为5.4ns,使得该芯片能够在高频环境下稳定工作,适用于需要快速响应的应用场景。此外,该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,使其具备较强的电源适应性,在不同电源条件下均可稳定运行。
该芯片采用16M x 16的组织结构,提供256Mbit的存储容量,适用于需要较大内存容量的系统。其TSOP封装形式不仅节省空间,还提高了散热性能和电气性能,适合高密度PCB布局。H26M42003GMR 支持-40°C至+85°C的宽工作温度范围,确保其在极端环境下的可靠运行,适用于工业级和车载级应用。
在时钟频率方面,H26M42003GMR 支持最高166MHz的频率,数据传输速率同样可达166MHz,保证了高效的数据吞吐能力。其54引脚TSOP封装设计,便于自动化生产和焊接,提高了制造效率和产品一致性。这些特性使得H26M42003GMR 成为高性能嵌入式系统、工业控制设备和网络通信设备的理想存储解决方案。
H26M42003GMR 芯片广泛应用于多个领域,包括但不限于高性能嵌入式系统、工业自动化设备、网络路由器和交换机、视频监控设备、通信基站以及汽车电子控制系统等。由于其高速存取、宽温工作和良好的电气性能,该芯片特别适合用于需要高稳定性和实时响应的工业和通信设备。此外,它也可用于消费类电子产品中,如高清电视、智能机顶盒和高性能数码设备,为这些设备提供充足的内存支持和流畅的数据处理能力。
HY57V281620FTP-6A, MT48LC16M2A2B4-6A, K4S641632K-UCB0