您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > APT25GP120BG

APT25GP120BG 发布时间 时间:2025/7/29 12:13:08 查看 阅读:10

APT25GP120BG是一款由Microsemi(现为Microchip Technology)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率模块,专为高功率应用设计。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管,具有高电流承载能力和高可靠性。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):25A
  最大工作温度:150℃
  封装类型:双列直插式(DIP)
  短路耐受能力:典型值为10μs
  热阻(Rth):约1.5K/W
  栅极驱动电压范围:±20V

特性

APT25GP120BG具有优异的电气和热性能,适用于高功率和高温环境下的应用。该模块采用先进的IGBT芯片技术,提供低导通压降和快速开关特性,从而减少能量损耗并提高系统效率。其高短路耐受能力确保在瞬态过载条件下仍能保持稳定运行。
  此外,APT25GP120BG采用了坚固的封装设计,能够承受机械应力和环境变化,确保长期可靠性。模块的热阻较低,有助于有效散热,延长使用寿命。该模块还具有良好的电磁兼容性(EMC),适用于各种工业和汽车应用。
  APT25GP120BG的内部结构优化了电流分布,减少了电磁干扰(EMI),提高了系统的整体性能。其栅极驱动电压范围宽,便于与各种驱动电路匹配,增强了设计灵活性。

应用

APT25GP120BG广泛应用于工业电机驱动、电动汽车、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、不间断电源(UPS)以及电能质量调节设备等高功率领域。其高性能和可靠性使其成为现代电力电子系统中的关键组件。

替代型号

APT25GP120BGCQ, APT25GP120BG3

APT25GP120BG推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

APT25GP120BG参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列POWER MOS 7®
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.9V @ 15V,25A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)69A
  • 功率 - 最大417W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247 [B]
  • 包装管件
  • 其它名称APT25GP120BGMIAPT25GP120BGMI-ND