APT25GP120BG是一款由Microsemi(现为Microchip Technology)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率模块,专为高功率应用设计。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管,具有高电流承载能力和高可靠性。
类型:IGBT模块
最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):25A
最大工作温度:150℃
封装类型:双列直插式(DIP)
短路耐受能力:典型值为10μs
热阻(Rth):约1.5K/W
栅极驱动电压范围:±20V
APT25GP120BG具有优异的电气和热性能,适用于高功率和高温环境下的应用。该模块采用先进的IGBT芯片技术,提供低导通压降和快速开关特性,从而减少能量损耗并提高系统效率。其高短路耐受能力确保在瞬态过载条件下仍能保持稳定运行。
此外,APT25GP120BG采用了坚固的封装设计,能够承受机械应力和环境变化,确保长期可靠性。模块的热阻较低,有助于有效散热,延长使用寿命。该模块还具有良好的电磁兼容性(EMC),适用于各种工业和汽车应用。
APT25GP120BG的内部结构优化了电流分布,减少了电磁干扰(EMI),提高了系统的整体性能。其栅极驱动电压范围宽,便于与各种驱动电路匹配,增强了设计灵活性。
APT25GP120BG广泛应用于工业电机驱动、电动汽车、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、不间断电源(UPS)以及电能质量调节设备等高功率领域。其高性能和可靠性使其成为现代电力电子系统中的关键组件。
APT25GP120BGCQ, APT25GP120BG3