您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PJMP990N65EC_T0_00001

PJMP990N65EC_T0_00001 发布时间 时间:2025/8/14 6:04:50 查看 阅读:24

PJMP990N65EC_T0_00001 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的高性能功率MOSFET器件。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻和高开关性能,适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。这款MOSFET的工作电压为650V,适合用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理系统和高电压功率开关等场景。其封装形式为TO-247,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):650V
  连续漏极电流(Id):90A
  导通电阻(Rds(on)):<0.055Ω
  栅极电荷(Qg):150nC
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-247

特性

PJMP990N65EC_T0_00001 MOSFET具备多项卓越特性,包括极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的高电流承载能力(90A)使其能够在高负载条件下稳定运行。
  此外,该MOSFET的栅极电荷(Qg)较低,确保了快速的开关速度,从而减少了开关损耗,提高了整体系统性能。在高温环境下,该器件仍然能够保持良好的稳定性和可靠性,其最大工作温度可达150°C,适用于各种恶劣环境条件。
  采用TO-247封装形式,具有良好的热管理和散热性能,能够有效降低器件工作时的温度上升,从而延长使用寿命。同时,该封装形式也方便用户进行安装和维护。
  PJMP990N65EC_T0_00001 还具备优异的短路耐受能力,能够在瞬态过载情况下提供更高的安全裕度,减少系统故障率。此外,该器件的设计优化了电磁干扰(EMI)性能,有助于减少外围电路的滤波需求,提高整体系统的电磁兼容性。

应用

PJMP990N65EC_T0_00001 MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中,包括工业级电源转换器(如AC-DC、DC-DC转换器)、电机驱动器、不间断电源(UPS)、光伏逆变器、电动车充电系统、LED照明驱动电路以及各种高电压开关控制电路。
  在工业自动化和控制系统中,该器件可用于高效能的电源管理模块,提供稳定的电力供应并减少能量损耗。在电动汽车领域,PJMP990N65EC_T0_00001 可用于车载充电器和电池管理系统中的功率开关部分,确保高效能和高可靠性。
  此外,该MOSFET还可用于家用电器中的变频控制系统,例如空调、洗衣机和冰箱等,以提高能源利用效率并降低运行噪音。在可再生能源系统中,如太阳能逆变器和风能转换系统,该器件可有效提升系统效率并增强系统稳定性。
  对于需要高功率密度和高可靠性的电源设计,PJMP990N65EC_T0_00001 是一个理想的功率开关选择,能够满足现代电力电子设备对高效、紧凑和可靠性的多重需求。

替代型号

STP990N65F3, SPW99N65CF3, IPW90R1K5P6

PJMP990N65EC_T0_00001推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PJMP990N65EC_T0_00001参数

  • 现有数量4,000现货
  • 价格1 : ¥16.62000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.7A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)990 毫欧 @ 2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)9.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)306 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)47.5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220AB-L
  • 封装/外壳TO-220-3