APD0510 是一款由 Advanced Power Devices(简称APD)公司制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和高电流能力,适用于如DC-DC转换器、电源开关、电机控制和电池管理系统等高功率密度应用场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):80A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):最大5.1mΩ(在Vgs=10V)
功率耗散(Pd):200W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-263(D2PAK)
APD0510 的主要特性之一是其极低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。该器件采用先进的工艺技术,确保了在高频率开关应用中的稳定性能。此外,APD0510 具有较高的电流承受能力,能够应对瞬态过载情况,从而提升系统的可靠性和稳定性。其耐用的封装结构也提供了良好的热管理和机械强度,适合在高温和高应力环境下运行。器件还具备良好的栅极电荷(Qg)特性,降低了驱动损耗,使MOSFET在高频开关电路中表现优异。同时,APD0510 的耐雪崩能力较强,可以在瞬态电压冲击下保持稳定工作,适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。
另一个关键特性是其封装形式——TO-263(D2PAK),这是一种表面贴装封装,便于自动化生产和散热设计,广泛用于高功率密度的电源模块和PCB布局中。该封装还支持较高的功率耗散能力,使得APD0510 能够在不使用散热片的情况下仍能维持稳定的温度表现。
APD0510 广泛应用于多种高功率电子系统中,例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、不间断电源(UPS)以及汽车电子系统中的功率控制模块。在服务器电源和电信设备中,APD0510 也被用于高效能电源转换和稳压电路。此外,由于其高可靠性和耐高温特性,APD0510 也适用于工业自动化控制、储能系统和太阳能逆变器等对功率器件性能要求较高的场合。
IRF1404, SiS430DN, IPB080N10N3G, FDS4410A