类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：100V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id（@25°C）：8A
　　导通电阻 Rds(on)（@Vgs=10V）：≤0.22Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（@25°C）：2W

UF1008FCT 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其在导通状态下的电阻非常低，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。其导通电阻在 Vgs=10V 时可低至 0.22Ω，非常适合用于高电流负载的应用场景。
　　此外，该器件支持高达 8A 的连续漏极电流，适用于多种电源转换应用。由于其栅源电压范围为 ±20V，UF1008FCT 能够适应多种驱动电路设计，并具有良好的抗过压能力。　　同时，UF1008FCT 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，使其能够在极端环境条件下正常工作，提高了其可靠性和适用性。这款 MOSFET 还具备快速开关特性，降低了开关损耗，从而进一步提升了整体系统的效率。
　　总体而言，UF1008FCT 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET，非常适合用于各种需要高效电源管理的电子设备。

UF1008FCT 主要用于需要高效能功率管理的场合，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路以及各种电源管理模块。它也广泛应用于工业控制系统、通信设备和消费类电子产品中，以实现高效的能量转换和控制。
　　在 DC-DC 转换器中，UF1008FCT 可作为主开关元件，用于升压或降压电路，提供高效的电压转换。在负载开关应用中，它可以快速控制负载的开启和关闭，以实现节能和保护功能。
　　此外，UF1008FCT 还可用于电机驱动电路，提供高效的功率输出，适用于小型电机控制和自动化系统。在电池管理系统中，该器件可以用于充放电控制，确保电池的安全运行。
　　在工业控制系统中，UF1008FCT 被广泛应用于各种电源模块和功率控制电路中，以提高系统的整体效率和稳定性。同时，它也可以用于通信设备中的电源管理模块，确保设备在高负载条件下的稳定运行。
　　最后，在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等，UF1008FCT 可用于内部电源管理，提供高效的能量转换和分配。

IRFZ44N, FDPF10N20, FQA8N100C, STP8NK100Z