时间：2025/9/14 7:58:16
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PEMH13,315 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的 Trench 工艺技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和良好的热性能。该器件适用于需要高效能和紧凑设计的功率电子系统，例如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制和电池管理系统等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：4.1A
导通电阻（Rds(on)）：260mΩ @ Vgs=10V，350mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散（Ptot）：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT23
晶体管配置：单路
PEMH13,315 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。在 Vgs=10V 时，Rds(on) 最大为 260mΩ，而在较低的栅极电压（4.5V）下，Rds(on) 为 350mΩ，这使得该器件可以在较宽的栅极电压范围内保持良好的性能。
此外，该MOSFET采用SOT23小型表面贴装封装，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性。其最大漏极电流为4.1A，能够在中等功率应用中提供稳定的电流处理能力。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高高频开关应用的效率。
PEMH13,315 还具备良好的热阻特性，封装热阻（Rth）约为 90°C/W，使其在无散热片设计中仍能有效散热。其工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，适用于各种工业和消费类电子环境。此外，该器件的可靠性高，符合 RoHS 环保标准，并通过了 AEC-Q101 汽车级认证，适用于对可靠性有较高要求的应用场景。
PEMH13,315 常用于需要高效功率控制和紧凑设计的电子系统中。典型应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、LED 照明调光电路、电池管理系统以及便携式设备中的电源管理模块。
Si2302DS, 2N7002, BSS138, FDN304P, IRLML2402
