CDR31BP8R2BDZSAT 是一款高性能的表面贴装陶瓷电容器,属于 C0G (NP0) 类介质材料系列。该元器件具有高稳定性和低损耗特性,适用于高频电路、滤波器和振荡器等场景。其设计符合 RoHS 标准,并具备优异的温度补偿性能。
这种型号的电容器通常用于需要高频率稳定性的应用中,如射频 (RF) 模块、通信设备和精密信号处理电路。
电容值:3.3pF
额定电压:50V
公差:±0.2pF
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装类型:0402
介质材料:C0G (NP0)
尺寸(长×宽):0.4mm × 0.2mm
CDR31BP8R2BDZSAT 具有以下主要特点:
1. 温度系数极低,典型值为 0ppm/℃,确保在宽温度范围内保持电容值稳定性。
2. 采用 C0G (NP0) 介质材料,提供低损耗和高 Q 值,适合高频应用场景。
3. 小型化封装(0402),节省 PCB 空间,便于高密度布局。
4. 高可靠性设计,能够承受多次焊接热冲击。
5. 符合 RoHS 标准,环保且兼容现代生产工艺。
这款电容器广泛应用于以下领域:
1. 高频通信系统中的滤波和匹配网络。
2. 无线模块中的谐振电路和信号调节。
3. 射频识别 (RFID) 设备及天线调谐。
4. 精密振荡器和时钟电路中的负载电容。
5. 音频设备中的高频耦合与解耦电路。
6. 医疗电子和工业自动化设备中的信号处理单元。
Kemet C0402C3P3C5GACTU, TDK C3216X5R0J104K160AA, AVX 04025C330GAT2A