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IRFR130ATM 发布时间 时间:2025/7/4 0:06:35 查看 阅读:12

IRFR130ATM是Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用TO-252 (DPAK) 封装,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能和低导通电阻的电路中。其设计目标是提供高效率、快速开关性能以及良好的热特性。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:6.9A
  栅极阈值电压:2V~4V
  导通电阻(Rds(on)):17mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗:1.6W
  工作结温范围:-55℃~175℃

特性

IRFR130ATM具有非常低的导通电阻,能够显著降低传导损耗,提高整体系统效率。
  它还具备出色的开关性能,支持高频操作,同时保持较低的开关损耗。
  由于采用了先进的制造工艺,该器件拥有较高的电流承载能力和优秀的热稳定性,适合各种工业和消费类电子应用。
  此外,其紧凑的TO-252封装使其非常适合空间受限的设计环境。

应用

IRFR130ATM适用于多种应用场景,包括但不限于以下领域:
  - 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
  - 电机控制和驱动
  - DC-DC转换器
  - 负载开关
  - 电池保护电路
  - 各种工业自动化设备中的功率管理模块

替代型号

IRLR130ATMA, IRLR130ATMB

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IRFR130ATM参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C110 毫欧 @ 6.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs36nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds790pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)