时间：2025/5/13 9:59:17
阅读：3
GMC04CG750G50NT是一款高性能的碳化硅（SiC）MOSFET功率模块，专为高效率和高功率密度的应用而设计。该模块采用先进的封装技术，具备低开关损耗、高热性能和出色的可靠性。其广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及其他高压高频场景中。
由于采用了碳化硅材料，这款模块能够支持更高的工作温度，并提供卓越的效率表现。此外，其内部集成的温度保护和短路保护功能也极大地提升了系统的安全性和稳定性。
额定电压：1200V
额定电流：50A
导通电阻：3.5mΩ（典型值）
开关频率：最高可达100kHz
结温范围：-55℃至+175℃
封装类型：7-Pin Module
输入电容：约85pF
反向恢复时间：≤50ns
1. 高效的碳化硅技术显著降低了开关损耗和传导损耗，从而提高了整体系统效率。
2. 优异的热管理能力，使得模块能够在高温环境下长期稳定运行。
3. 内部集成多种保护机制，例如过流保护和过温关断功能，增强了模块的安全性。
4. 小型化设计，便于在有限空间内实现更高的功率密度。
5. 超快的开关速度减少了电磁干扰问题，同时优化了动态性能。
6. 宽广的工作温度范围使其适用于各种严苛环境下的应用需求。
1. 工业级大功率变频器与伺服驱动器。
2. 太阳能光伏并网逆变器及储能系统。
3. 电动汽车充电桩的核心功率转换组件。
4. 不间断电源（UPS）以及数据中心供电解决方案。
5. 高端电机控制器和电力电子变换装置。
6. 高压直流输电（HVDC）相关设备中的功率调节单元。
GMC04CG750G65NT
GMC04CG750G40NT
Infineon FSM75R12W1M1_B11
Cree CMF20075D
