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PDTA115ET,215 发布时间 时间:2025/9/14 16:13:12 查看 阅读:7

PDTA115ET,215是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管主要用于通用开关和放大应用,广泛用于消费电子、工业控制和通信设备中。其采用SOT-23(Small Outline Transistor)封装,适合表面贴装技术(SMT)生产流程,具有良好的热稳定性和高频响应。PDTA115ET,215的结构设计确保了在中低功率条件下能够高效运行,是许多电子系统中常见的基础元件。

参数

类型:NPN晶体管
  集电极-发射极电压(Vceo):50V
  集电极-基极电压(Vcbo):50V
  发射极-基极电压(Vebo):5V
  集电极电流(Ic)最大值:100mA
  功耗(Ptot):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23

特性

PDTA115ET,215具有良好的电性能和热稳定性,适用于中低功率放大和开关应用。
  其NPN结构设计提供了较高的电流增益(hFE),在不同工作条件下保持稳定。
  该晶体管的高频响应特性使其适用于射频(RF)和音频放大电路。
  SOT-23封装体积小巧,适合高密度PCB布局,并具有良好的散热性能。
  器件符合RoHS环保标准,无铅封装,适用于现代环保电子产品制造。
  内部结构经过优化,确保在高温环境下仍能保持稳定运行,提高了器件的可靠性和使用寿命。
  由于其通用性,PDTA115ET,215常用于各种电子电路中,包括逻辑门电路、缓冲器、驱动器和信号放大器等。

应用

PDTA115ET,215广泛应用于各种电子设备和系统中,例如消费电子产品中的信号放大和开关控制电路。
  在工业控制系统中,它可用于传感器信号放大、继电器驱动和逻辑控制电路。
  在通信设备中,该晶体管适用于射频信号放大和调制解调电路。
  此外,PDTA115ET,215也常用于电源管理电路、LED驱动和音频放大器设计。
  由于其良好的性能和可靠性,该晶体管还被广泛应用于汽车电子系统,如车载娱乐系统、车身控制模块和传感器接口电路。
  在嵌入式系统和微控制器应用中,PDTA115ET,215常用于驱动外部设备,如继电器、LED显示屏和小型电机。

替代型号

BC817-25, 2N3904, PN2222A, MMBT3904

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PDTA115ET,215参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)20mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)100k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)100k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称568-2109-6