类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：300mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C

2N7002KPW MOSFET具有多项出色的电气和物理特性，使其成为许多电子应用的首选组件。
　　首先，其最大漏源电压（Vds）为60V，能够支持较高的电压应用，同时保持良好的稳定性和可靠性。在栅源电压方面，最大允许值为±20V，这使其在不同的栅极驱动条件下都能正常运行。
　　其次，该器件的最大连续漏极电流为300mA，适用于中等功率级别的开关应用，例如电源管理、电机控制和LED驱动器等。其功耗限制为300mW，表明该器件在小型封装中仍能处理相对较高的功率水平，同时不会导致过热问题。
　　此外，2N7002KPW的工作温度范围为-55°C至+150°C，确保其在极端环境条件下仍能可靠运行，例如在工业控制或汽车电子系统中。存储温度范围也保持在同样的水平，这表明该器件在非工作状态下也能承受较大的温度变化。
　　值得一提的是，2N7002KPW具有较低的导通电阻（Rds(on)），通常在几欧姆范围内，这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。由于其栅极驱动电压较低，该器件可以与常见的微控制器或数字逻辑电路直接配合使用，无需额外的驱动电路，从而简化了电路设计并降低了成本。
　　最后，2N7002KPW采用小型封装形式，如SOT-23或SOT-323，不仅节省了PCB空间，还便于自动化装配和焊接。这种封装设计也使其适用于便携式设备、消费类电子产品和通信设备等对尺寸要求较高的应用场合。

2N7002KPW MOSFET因其多功能性和可靠性，被广泛应用于多个领域。
　　在电源管理方面，该器件可用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统，帮助实现高效能的电源控制。由于其较低的导通电阻和较高的耐压能力，它在电源转换和分配系统中表现出色。
　　在电机控制应用中，2N7002KPW可用于驱动小型直流电机、步进电机或风扇控制电路。其300mA的最大连续漏极电流能够满足大多数低功率电机的需求，同时提供良好的过载保护性能。
　　此外，该MOSFET也常用于LED照明系统中的开关控制。通过精确控制LED的电流和亮度，它可以提高照明系统的能效并延长LED的使用寿命。由于其封装小巧，适合集成到紧凑型LED驱动模块中。
　　在工业自动化和控制系统中，2N7002KPW可用于传感器信号调理、继电器驱动和继电保护电路。其宽广的工作温度范围和较高的可靠性使其成为工业环境中的理想选择。
　　对于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、智能手表和便携式音频设备，2N7002KPW可以用于电源开关、外设控制和充电管理电路。其小型封装和低功耗特性非常适合这些对空间和能效要求严格的设备。
　　最后，在汽车电子系统中，该器件可用于车灯控制、车载娱乐系统和车载充电器等应用。其高耐压和宽工作温度范围确保其在恶劣的汽车环境中稳定运行。

2N7002, 2N7002K, BSS138, FDV301N, IRLML2402