时间：2025/6/25 14:44:42
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CDR33BP302AFZMAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低系统功耗并提升整体性能。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，支持高频开关应用，并且具备出色的热稳定性和电气特性，适合工业及消费类电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
栅极电荷(Qg)：28nC
开关频率：高达500kHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3
1. 超低导通电阻，仅为2.5mΩ，有效减少传导损耗，提高系统效率。
2. 支持大电流操作，最大漏极电流可达16A，满足高功率应用需求。
3. 快速开关性能，栅极电荷低至28nC，适用于高频设计。
4. 宽广的工作温度范围，适应恶劣环境下的稳定运行。
5. 具备较高的雪崩击穿能量承受能力，增强了器件的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护与控制。
6. 消费类电子产品中的高效功率转换模块。
IRF3205
STP16NF06L
FDP16N06L
