类型：PWM控制器
　　拓扑结构：反激式
　　控制模式：电流模式、准谐振（QR）
　　启动电压：约12V
　　工作电压范围：8V ~ 22V
　　最大占空比：约80%
　　开关频率：可变频率，典型值50kHz ~ 120kHz
　　电流检测阈值：约0.85V（典型）
　　封装形式：SOT26
　　引脚数：6
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　待机电流：＜100μA（典型）
　　内置高压启动：是
　　保护功能：过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）、前沿消隐（LEB）

AP3703KTR-G1的核心特性之一是其准谐振（Quasi-Resonant, QR）控制技术，该技术通过检测变压器去磁完成后的谷底电压点来触发MOSFET的导通，实现零电压开关（ZVS），有效降低开关损耗并提升转换效率。相较于传统的固定频率PWM控制器，QR控制方式在中高负载下具有更高的效率表现，同时减少了开关过程中的电压应力和电磁噪声，有助于满足严格的EMI法规要求。该芯片内部集成了一个高压启动电流源，能够在上电后直接从整流母线获取能量为VDD电容充电，避免了传统外部分压启动电阻带来的持续功耗，提升了系统的轻载和待机效率。当VDD电压达到启动阈值后，控制器开始正常工作，并由辅助绕组供电维持运行，此时高压启动电路自动关闭以节省能耗。
　　另一个关键特性是其多模式操作能力，AP3703KTR-G1可根据负载情况在QR模式、临界模式（Critical Conduction Mode）和突发模式（Burst Mode）之间无缝切换。在重载或中等负载时，芯片工作于QR模式以保持高效；随着负载下降，进入临界导通模式维持稳定性；而在极轻载或待机状态下，自动切换至突发模式，仅在输出电压低于设定阈值时短时间激活开关动作，其余时间进入深度休眠状态，极大降低了待机功耗，通常可实现低于75mW的空载输入功率，满足全球最严苛的能效标准。
　　在保护方面，AP3703KTR-G1具备全面的安全机制。过载保护通过监测反馈信号持续时间判断故障，触发后实施打嗝模式重启尝试恢复；过压保护监控FB引脚电压，防止因反馈回路断开导致输出过压损坏负载；过温保护则在芯片结温过高时切断输出驱动，待温度回落后再重新启动。此外，前沿消隐功能可屏蔽电流检测信号前端的尖峰干扰，防止误触发关断，提高系统抗噪能力。这些特性共同确保了电源系统在各种异常工况下的可靠性和安全性。

AP3703KTR-G1主要应用于需要高效率、低待机功耗的小功率AC-DC电源系统，典型使用场景包括手机充电器、USB适配器、智能家居设备电源、无线路由器电源模块、LED照明驱动电源、物联网终端供电单元以及小型家电的辅助电源等。由于其出色的能效表现和紧凑的SOT26封装，特别适合对空间和能耗有严格要求的便携式电子设备。在消费类电子产品中，该芯片常用于5W至15W功率范围的离线式反激电源设计，支持通用输入电压范围（85VAC ~ 265VAC），可兼容全球电网标准。其准谐振控制方式不仅提升了效率，还降低了EMI辐射，减少了对外部滤波元件的需求，有助于简化PCB布局并降低成本。此外，AP3703KTR-G1也适用于需要满足能源之星、欧盟EuP Lot 6、DoE Level VI等国际能效法规的产品设计，广泛服务于绿色能源和可持续发展导向的电源解决方案。在工业控制领域，该芯片可用于传感器供电模块、继电器驱动电源等低功耗隔离电源设计，提供稳定可靠的直流电压输出。得益于其高集成度和稳定的性能表现，AP3703KTR-G1已成为许多原厂和代工厂在入门级开关电源方案中的首选PWM控制器之一。

AP3703KTR-G1
　　AP3703GN-DIY1G