类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：8.2mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（PD）：100W

CDRH124NP-8R2MC MOSFET 具备多项优良特性，适用于高要求的功率管理应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为 8.2mΩ，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。这在高电流应用中尤为重要，例如电源转换器和负载开关。其次，该器件支持高达 120A 的连续漏极电流，具备出色的电流承载能力，适用于大功率应用。CDRH124NP-8R2MC 的栅源电压范围为 ±20V，使其在不同驱动条件下均能稳定工作，并具备一定的抗过压能力。此外，该器件采用沟槽 MOSFET 技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。其 TO-252 封装不仅提供了良好的散热能力，还具有较强的机械强度，适用于严苛的工作环境。该器件的宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于工业控制、汽车电子和通信设备等对可靠性要求较高的领域。

CDRH124NP-8R2MC MOSFET 主要应用于需要高效功率管理的电子系统中。在 DC-DC 转换器中，它可以用作主开关或同步整流器，提高转换效率并减少发热。在电源管理系统中，该器件可作为负载开关，实现对不同电源轨的快速切换和控制。此外，它还可用于电机驱动电路、电源逆变器和电池管理系统中，提供高效的功率控制能力。由于其高电流承载能力和良好的热稳定性，CDRH124NP-8R2MC 也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。在工业自动化和服务器电源系统中，该器件可用于构建高可靠性的功率模块。

SiSS124N, IRF124N, FDP124N, STP124N