BU4S71-TR 时间：2025/12/25 13:27:36 阅读：12

BU4S71-TR是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换和开关应用设计。该器件采用小型表面贴装封装（通常为SOT-23或类似紧凑型封装），适用于空间受限的便携式电子设备和高密度电路板布局。BU4S71-TR具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度以及良好的热稳定性，使其在电池管理、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等场景中表现出色。其栅极阈值电压设计适配于低压逻辑控制信号，可直接由微控制器或其他数字IC驱动，无需额外的电平转换电路。此外，该MOSFET具备优良的雪崩耐受能力和抗瞬态过压性能，提升了系统在异常工作条件下的可靠性。ROHM在制造过程中采用了先进的沟槽式MOSFET工艺技术，确保了器件在高频开关操作下的低损耗与高耐用性。BU4S71-TR符合RoHS环保标准，并通过了无铅认证，适合用于消费类电子产品、工业控制模块以及通信设备中的电源管理系统。

参数

型号：BU4S71-TR
　　制造商：ROHM
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：4.4A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：12A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on) max）：23mΩ @ VGS=10V, 2.3A
　　导通电阻（RDS(on) max）：30mΩ @ VGS=4.5V, 2.2A
　　栅极阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：430pF @ VDS=15V
　　输出电容（Coss）：140pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间（trr）：18ns
　　功耗（Ptot）：200mW
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

BU4S71-TR的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时典型值仅为23mΩ，在同类小封装MOSFET中表现优异。这一参数显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，特别适用于对热管理要求严格的便携式设备，如智能手机、蓝牙耳机和移动电源等。由于其低RDS(on)，即使在较高负载电流下也能保持较低温升，有助于延长电池寿命并减少散热设计复杂度。
　　另一个关键特性是其快速开关能力。BU4S71-TR的输入电容（Ciss）仅为430pF，配合较低的栅极电荷（Qg），使得器件能够实现高速开启与关断，适用于高频PWM控制应用。这在同步整流式DC-DC变换器中尤为重要，可以有效降低开关损耗，提升转换效率。同时，较短的反向恢复时间（trr=18ns）意味着体二极管在换向过程中产生的反向电流较小，从而减少了交叉导通风险和电磁干扰（EMI）。
　　该器件还具备良好的热稳定性和过载承受能力。工作结温可达+150°C，可在高温环境下可靠运行。其沟道设计优化了电流分布均匀性，避免局部热点形成，增强了长期工作的稳定性。此外，内置的静电放电（ESD）保护结构提升了生产装配过程中的鲁棒性，减少了因人为操作导致的损坏概率。
　　BU4S71-TR支持逻辑电平驱动，栅极阈值电压范围为1.0V至2.0V，这意味着它可以在3.3V甚至更低的控制电压下完全导通，兼容现代低电压微处理器和逻辑门电路。这种特性使其非常适合用于由GPIO直接控制的负载开关或电源路径管理应用。综合来看，BU4S71-TR凭借其高性能参数、紧凑尺寸和高可靠性，成为众多中小型功率开关应用的理想选择。

应用

BU4S71-TR广泛应用于多种需要高效、小型化功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池供电切换、外设电源控制和背光驱动电路。其低导通电阻和小封装尺寸使其成为这些空间敏感型设备的理想选择。
　　在DC-DC转换器领域，BU4S71-TR常被用作同步整流器或高端/低端开关元件，尤其是在降压（Buck）拓扑结构中。其快速开关特性和低栅极电荷有助于提高转换效率，特别是在轻载和中等负载条件下表现突出。此外，该器件也适用于电压调节模块（VRM）和点负载电源（POL）设计，满足数字IC对动态响应和效率的要求。
　　工业控制与自动化设备中，BU4S71-TR可用于继电器驱动、传感器电源开关和小型电机控制电路。其稳定的电气性能和宽温度工作范围保证了在恶劣工业环境下的长期可靠性。在通信设备中，该MOSFET可用于接口电源隔离、热插拔控制和信号路由等功能模块。
　　此外，BU4S71-TR还可作为LED驱动电路中的开关元件，用于调节亮度或实现快速开关控制。其低导通损耗有助于减少发热，提高灯具系统的整体效能。总之，该器件因其多功能性和高性价比，已成为现代电子设计中常用的通用型N沟道MOSFET之一。